近日，位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维ＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。